دانشمندان آلماني موفق به ساخت نسل بعدي حافظههاي رم مغناطيسي (MRAM) شدند.گفته ميشود سرعت اين حافظهها ميتواند تا جائي که محدوديتهاي اساسي و بنيادي اجازه ميدهند افزايش يابد.به گفته محققين، رمهاي مغناطيسي با داشتن توانائي براي ذخيره اطلاعات حجيم آن هم با سرعت بالا و حتي حفظ اين اطلاعات در هنگام قطع برق، قادر خواهند بود تا ويژگي بوت آني (Instant Boot) را در کامپيوترها و تجهيزات موبايل فراهم آورند.
پيسيهاي امروزي معمولاً از حافظههاي ديناميک يا استاتيک (SRAM و DRAM) که اطلاعات را با استفاده از شارژ الکتريکي بر روي خود ذخيره ميکنند استفاده مينمايند.با وجود اينکه اين حافظهها از سرعت قابل قبولي برخوردار ميباشند، اما در زمان قطع برق کليه اطلاعات موجود بر روي آنها از دست خواهد رفت که به همين دليل به آنها «حافظههاي فرّار» نيز گفته ميشود. Hans Werner Schumacher يکي از محققين پروژه حافظههاي مغناطيسي MRAM از Physikalisch-Technische Bundesanstalt)PTB) ميگويد: «حافظههاي فرّار در زمان قطع برق اطلاعات خود را از دست ميدهند. به همين دليل است که شما در هنگام بوت شدن سيستم خود مجبور هستيد تا براي مدتي منتظر بمانيد.»«در مدت زماني که سيستم بوت ميشود، کامپيوتر اطلاعاتي را از روي هارد ديسک برداشته و بر روي حافظههاي غيرفرّار سيستم مينويسد.»
Schumacher از حافظههاي فلش بعنوان نمونهاي از حافظههاي غيرفرّار نام برد. امروزه از اين حافظهها در برخي از تجهيزات موبايل و دوربينها و همچنين در مدلهايي از کامپيوترها مانند دستگاههاي OLPC و Eee PC ايسوس استفاده ميشود.MRAM نمونه ديگري از حافظههاي غيرفرّار است که در ماژولهاي نسل اوليه آن، پالسهاي ميدان مغناطيسي براي ذخيره اطلاعات بصورت مغناطيسي بکار گرفته ميشوند.درحال حاضر از اين حافظهها در کاربردهاي اتوماسيون و همچنين برنامههاي صنعتي استفاده ميشود.پيشبيني ميشود با ارتقاء اين حافظهها و کاهش قيمت آنان، امکان استفاده از اين نوع رمها در پيسيها فراهم گردد.به گفته متخصصين چنانچه بتوان اطلاعات مربوط به بوت شدن سيستم را در حافظههاي سريعي که اطلاعات آنان با قطع برق از بين نرود ذخيره نمود، مدت زمان لازم براي بوت شدن سيستم به زير يک ثانيه خواهد رسيد.
۱۳۸۷ مهر ۱۵, دوشنبه
رمهاي مغناطيسي و افزايش سرعت بوت
